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2SJ326

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SJ326 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES • Low On-state Resistance RDS(on) = 0.28 Ω TYP. (VGS = −10 V, ID = −1.0 A) RDS(on) = 0.50 Ω TYP. (VGS = −4 V, ID = −0.8 A) • Low Cis

文件:1.8906 Mbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ326

P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET

文件:976.45 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

2SJ326

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

文件:386.56 Kbytes 页数:6 Pages

NEC

瑞萨

2SJ326

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

Renesas

瑞萨

2SJ326-Z

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

文件:386.56 Kbytes 页数:6 Pages

NEC

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    2SJ326

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Trans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251

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