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2SD1256	文件：296.95 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：296.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1256	文件：277.9 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：277.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1256	文件：40.56 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). ● Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. ● Large collector current IC. 文件：40.56 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1256-251	文件：296.95 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：296.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1256-252	文件：277.9 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：277.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1257	文件：62.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) For power switching Complementary to 2SB934 ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE ● Large collector current IC ● N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printe 文件：62.12 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1257	文件：296.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 3A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：296.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1257	文件：277.79 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 3A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：277.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1257	文件：41.98 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. • Large collector current IC. 文件：41.98 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1257-251	文件：296.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 3A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：296.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
60
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
8
IC (A) @25 °C：
1
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
2000
hFE max.：
30000
Pc (W)：
8
Package Type：
MP-3Z
Production Status：
EOL

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