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2SD1256	文件：58.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) Silicon NPN epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SB933 ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE ● Large collector current IC ● N type package enabling direct soldering of the radiat 文件：58.26 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1256	文件：57.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) Silicon PNP epitaxial planar type For Power switching Complementary to 2SD1256 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Large collector current IC • N type package enabling direct soldering of the radiati 文件：57.88 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1256	文件：296.95 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：296.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1256	文件：277.9 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：277.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1256	文件：40.56 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). ● Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. ● Large collector current IC. 文件：40.56 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1256-251	文件：296.95 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：296.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1256-252	文件：277.9 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：277.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1256_15	文件：1.23144 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.23144 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1256-P	文件：1.23144 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.23144 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
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晶体管资料

型号：
2SD1256
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
130V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-62
vtest：
130
htest：
30000000
atest：
5
wtest：
40

详细参数

型号：
2SD1256
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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