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2SD1308	文件：103.95 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION 1. With TO-220 package 2. Low collector saturation voltage 3. DARLINGTON 4. Complement to type 2SB974 文件：103.95 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1308	文件：105.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：105.57 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1308	文件：68.74 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER AND LOW SPEED SWITCHING INDUSTRIAL USE 文件：68.74 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1308	文件：65.18 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：65.18 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1308	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Small Signal Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

型号：
2SD1308
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD901,BDW23C,BDW63C,BDX53F,2SD970,2SD1025,2SD1147,2SD1196,2DS1357,2SD1590,2SD1591,2SD1634,2SD2025,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=2000-20000
图片代号：
B-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
30

更多2SD1308供应商更新时间2026-1-18 9:03:00