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2SD1311	文件：245.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max.)@IC=3A APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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制造商&上传企业

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2SD1311

文件：245.25 Kbytes

Page：2 Pages

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max.)@IC=3A APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SD1311

文件：31.93 Kbytes

Page：1 Pages

NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR

AudioFrequencyPowerAmplifier

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

晶体管资料

型号：
2SD1311
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD241C,BD539C,BD937,2SD712,2SD1035,2SD1135,2SD1195,2SD1267,2SD1356,2SD1897,3DD62D,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-44
vtest：
100
htest：
20000000
atest：
4
wtest：
40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1311供应商更新时间2024-4-28 16:30:00

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