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2SD1310	文件：39.87 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Triple Diffused Transistor Audio Frequency Power Ampllifier AudioFrequencyPowerAmpllifier	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2SD1311	文件：245.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max.)@IC=3A APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SD1311	文件：31.93 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR AudioFrequencyPowerAmplifier	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
2SD1312	文件：186.69 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The2SD1312isdesignedforuseindriverandoutputstagesofaudiofrequencyamplifiers.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SD1313	文件：121.22 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(25A,350V,200W)	MOSPEC MOSPEC
2SD1313	文件：190.08 Kbytes Page：4 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SD1313	文件：75.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Highpowerdissipation •Highcollectorcurrent •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage APPLICATIONS •Highpoweramplifierapplications •Highpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SD1313	文件：185.18 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Highpowerdissipation •Highcollectorcurrent •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage APPLICATIONS •Highpoweramplifierapplications •Highpowerswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SD1314	文件：193.37 Kbytes Page：4 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SD1318	文件：350.04 Kbytes Page：6 Pages	SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR DARLINGTON MediumSpeedPowerSwitching Features 30VZenerdiodebuilt-inbetweenCandB Verysmallfluctuationinbreakdownvoltages Largeenergyhandingcapability Highspeedswitching NTypepackageconfigurationwithacoolingfinfordirectsolderingonPCboardofasmall-sizeelec	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
2SD1313	文件：186.79 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SD1314	文件：127.58 Kbytes Page：2 Pages	High Power Dissipation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SD1314_06	文件：147.75 Kbytes Page：5 Pages	High Power Switching Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

晶体管资料

型号：
2SD1311
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD241C,BD539C,BD937,2SD712,2SD1035,2SD1135,2SD1195,2SD1267,2SD1356,2SD1897,3DD62D,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-44
vtest：
100
htest：
20000000
atest：
4
wtest：
40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD131供应商更新时间2024-4-28 16:30:00

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