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2SD1362	文件：130.139 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE FEATURES . High Collector Current : Ic=7A . Low Saturation Voltage : VcE(sat)=0. 5V(Max. ) (at Ic=4A) . High Collector Power Dissipation : Pc=40W (at Tc=25°C) . Complementary to 2SB992 文件：130.139 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1362	文件：207.33 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·Collector Power Dissipation- : PC= 40W@ TC= 25℃ ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC= 4A ·Complement to Type 2SB992 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operatio 文件：207.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1363	文件：276.52 Kbytes Page：3 Pages	HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS.. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES: -High Collector Current Ic=7A -Low Saturation Voltage : VCE (sat)=0.4V (Max.) (at Ic=4A) -High Collector Power Dissipation : PC 40W (at Tc-25°C) -Complementary to 25B993 文件：276.52 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1366	文件：154.44 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：154.44 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1366	文件：31.36 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：31.36 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1366A	文件：24.9 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：24.9 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1366A	文件：145.83 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：145.83 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1367	文件：31.81 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB1001 文件：31.81 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1367	文件：203.44 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB1001 文件：203.44 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1367BCTR-E	文件：203.44 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB1001 文件：203.44 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SD1368
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX56,2SC2873,2SC3444,2SC3646,2SD874,2SD1005,2SD1368,2SD1418,2SD1419,2SD1834,3DG84B,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
100
htest：
100000000
atest：
1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
50
IC @25 °C (A)：
1
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
100-500
Pc (W)：
1
fT (Typical) (GHz)：
0.1
Cob (Typical) (pF)：
20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SD1368	HITACHI/日立	25+	SOT-89	45000	HITACHI/日立全新现货2SD1368即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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更多2SD136供应商更新时间2026-4-17 16:08:00

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