| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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2SC5408 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION FEATURE • High fT 17 GHz TYP. • High gain |S21e|2 = 15.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 7 mA • NF = 1.1 dB, @f = 2 GHz VCE = 2 V, IC = 1 mA • 6-pin Small Mini Mold Package 文件：50.84 Kbytes 页数：8 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | |
2SC5408 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION | Renesas 瑞萨 | Renesas | |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION FEATURE • High fT 17 GHz TYP. • High gain |S21e|2 = 15.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 7 mA • NF = 1.1 dB, @f = 2 GHz VCE = 2 V, IC = 1 mA • 6-pin Small Mini Mold Package 文件：50.84 Kbytes 页数：8 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | ||
SOT423 | RENESAS | |||
SOT143 | RENESAS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_SHF
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
5V
- 最大电流允许值：
0.01A
- 最大工作频率：
17GHZ
- 引脚数：
6
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-23
- vtest：
5
- htest：
17000000000
- atest：
0.01
- wtest：
0
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
SOT-363SOT-323-6 |
7000 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-363 |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 | ||
SOT-363 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
NEC |
1922+ |
SOT-363 |
35689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
SOT-363 |
480 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
NEC |
24+ |
NA/ |
3730 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
NEC |
2023+ |
SOT-363 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-363 |
480 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
2223+ |
SOT-363 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 |
