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深圳市华来深电子有限公司

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ROHMSMD

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ROHMSOT23

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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MATSUSHITATO-3

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深圳市一线半导体有限公司

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TOSHIBA/东芝CAN3

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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ROHM/罗姆SOT23

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ROHM/罗姆全新特价2SC5868TLQ即刻询购立享优惠#长期有货

深圳市百诺芯科技有限公司

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ROHM/罗姆NA

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深圳市天芯威科技有限公司

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ROHMSOT23-3

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ROHMSOT-23

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深圳市正纳电子有限公司

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Rohm(罗姆)NA

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现代芯城（深圳）科技有限公司

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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ROHMDIP-40

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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2SC5863

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PANASONIC/松下SOT-23

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2SC5868TLQ价格

2SC5868TLQ价格：￥0.5182品牌：Rohm Semiconductor

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2SC58630QL功能描述:TRANS NPN 300VCEO 70MA MINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

2SC5865制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, ROHM, TSMT3,

2SC5865TL制造商:Rohm 功能描述:NPN 60V 1A 120 to 390 TSMT3 Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, ROHM, TSMT3,

2SC5865TLQ功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SC5865TLR功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SC5866制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, ROHM, TSMT3,

2SC5866TLQ功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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2SC5867TLQ功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 3A NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SC5867TLR功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 3A NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

晶体管资料

  • 型号：

    2SC586

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    150V

  • 最大电流允许值：

    5A

  • 最大工作频率：

    55MHZ

  • 引脚数：

    2

  • 可代换的型号：

    BU109,BU110,BU210,BUW86,BUW87,BUY20,2SC2837,2SD731,2SD732,3DK206B,

  • 最大耗散功率：

    50W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    E-44

  • vtest：

    150

  • htest：

    55000000

  • atest：

    5

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