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2SC5408-T1	文件：50.84 Kbytes Page：8 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION FEATURE • High fT 17 GHz TYP. • High gain \|S21e\|2 = 15.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 7 mA • NF = 1.1 dB, @f = 2 GHz VCE = 2 V, IC = 1 mA • 6-pin Small Mini Mold Package 文件：50.84 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5432-T1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT423	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SC5455-T1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT143	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SC5508-T2-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT343	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SC5408-T1	NEC	24+	SOT-363SOT-323-6	8613	新进库存/原装	询价
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更多2SC5408-T1供应商更新时间2026-2-1 16:30:00

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