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2SC5508-T2-A	文件：229.94 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) FEATURES • Ideal for low-noise, high-gain amplification applications • NF = 1.1 dB TYP., Ga = 16 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Maximum available power gain: MAG = 19 文件：229.94 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5508-T2-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-82A，SOT-343；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F	CEL	CEL
2SC5508-T2B	文件：229.94 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) FEATURES • Ideal for low-noise, high-gain amplification applications • NF = 1.1 dB TYP., Ga = 16 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Maximum available power gain: MAG = 19 文件：229.94 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5508-T2B-A	文件：229.94 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) FEATURES • Ideal for low-noise, high-gain amplification applications • NF = 1.1 dB TYP., Ga = 16 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Maximum available power gain: MAG = 19 文件：229.94 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

产品属性

产品编号：
2SC5508-T2-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.3V
频率 - 跃迁：
25GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 2GHz
增益：
17dB
功率 - 最大值：
115mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
供应商器件封装：
SOT-343
描述：
RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC5508-T2-A供应商更新时间2026-2-8 22:59:00

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