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2SC5200	文件：377.77 Kbytes Page：2 Pages	TO-3PPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC5200	文件：281.75 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconEpitaxialPlanarNPNPowerTransistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC5200	文件：281.46 Kbytes Page：2 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATION •Complementaryto2SA1943 •Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC5200	文件：127.51 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC5200	文件：229.34 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS •Highcurrentswitching •Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5200	文件：292.72 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·HighPowerDissipation ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=230V(Min) ·ComplementtoType2SA1943 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5200	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200	文件：94.02 Kbytes Page：3 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequency AmplifierOutputStage. ComplementarytoUTC2SA1943	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC5200A	文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200A-O-AB-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTransistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

产品属性

产品编号：
2SC5200-O(Q)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3PL
供应商器件封装：
TO-3P（L）
描述：
TRANS NPN 230V 15A TO3P

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更多2SC5200-O(Q)供应商更新时间2025-5-15 16:00:00

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