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2SC5200-O(Q)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3PL；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 230V 15A TO3P	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5200	文件：177.43 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSDRIVERSTAGEAMPLIFIER	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC5200	文件：288.73 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=3.0V(Max)@IC=8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5200	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5200	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC5200	文件：157.43 Kbytes Page：8 Pages	HighpowerNPNepitaxialplanarbipolartransistor Description ThisdeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=230V ■TypicalfT=30MHz Application ■Audiopoweramplif	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
2SC5200	文件：921.21 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-3PPlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC5200	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTransistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200	文件：424.28 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SA1943 APPLICATIONS ·Highcurrentswitching ·Recommendedfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC5200	文件：231.01 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

产品属性

产品编号：
2SC5200-O(Q)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3PL
供应商器件封装：
TO-3P（L）
描述：
TRANS NPN 230V 15A TO3P

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更多2SC5200-O(Q)供应商更新时间2025-5-14 17:03:00

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