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2SC5658M3T5G	文件：48.12 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor NPNSiliconGeneralPurposeAmplifierTransistor ThisNPNtransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSOT-723packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. •ReducesBoardSpace •Highh	VAISH Vaishali Semiconductor	VAISH
2SC5658M3T5G	文件：130.81 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor NPNSiliconGeneralPurposeAmplifierTransistor ThisNPNtransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSOT-723packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •ReducesBoardSpace	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5658M3T5G	文件：101.69 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5658M3T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A SOT723	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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L2SC5658M3T5G	文件：79.74 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeAmplifierNPNSiliconTransistor	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
NSV2SC5658M3T5G	文件：101.69 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeAmplifierTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
2SC5658M3T5G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，60mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，6V
频率 - 跃迁：
180MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
SOT-723
描述：
TRANS NPN 50V 0.1A SOT723

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