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2SC5658M3T5G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC5658M3T5G |
| 参数属性 | 2SC5658M3T5G 封装/外壳为SOT-723；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 50V 0.1A SOT723 |
| 功能描述 | NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 文件大小 |
48.12 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Vaishali Semiconductor |
| 企业简称 |
VAISH |
| 中文名称 | Vaishali Semiconductor官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 11:20:00 |
| 人工找货 | 2SC5658M3T5G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5658M3T5G规格书详情
NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor
This NPN transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium.
• Reduces Board Space
• High hFE, 210−460 (typical)
• Low VCE(sat), < 0.5 V
• ESD Performance: Human Body Model; > 2000 V,
Machine Model; > 200 V
• Available in 8 mm, 7-inch/3000 Unit Tape and Reel
• This is a Pb−Free Device
产品属性
- 产品编号：
2SC5658M3T5G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，60mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，6V
- 频率 - 跃迁：
180MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-723
- 供应商器件封装：
SOT-723
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
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1983 |
只做原装正品 |
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24+ |
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56000 |
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ON |
24+ |
SOT-723-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT723 |
1547 |
正规渠道,只有原装! |
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ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
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ON |
1922+ |
SOT723 |
90000 |
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ON |
23+ |
SOT-723 |
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全新原装正品现货,支持订货 |
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ON SEMI |
22+ |
NA |
3199 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
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