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2SC5231A-8-TL-E	文件：526.52 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single SMCP Features •Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) •Highgain:⏐S21e⏐2=12dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5231A-8-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：SC-75，SOT-416 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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2SC5231A-8-TL-E

文件：526.52 Kbytes

Page：8 Pages

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single SMCP

Features •Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) •Highgain:⏐S21e⏐2=12dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2SC5231A-8-TL-E

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包装：托盘封装/外壳：SC-75，SOT-416 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

产品编号：
2SC5231A-8-TL-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1dB @ 1GHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 20mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
70mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SMCP
描述：
RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP

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