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2SC5658RM3T5G	文件：130.81 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor This NPN transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. Features • Reduces Board Space 文件：130.81 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5658RM3T5G	文件：101.69 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor 文件：101.69 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5658RM3T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A SOT723	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
L2SC5658RM3T5G	文件：336.35 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor This NPN transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. Features • Reduces Board Space 文件：336.35 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC

产品属性

产品编号：
2SC5658RM3T5G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，60mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
215 @ 1mA，6V
频率 - 跃迁：
180MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
SOT-723
描述：
TRANS NPN 50V 0.1A SOT723

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