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2SC5551AE-TD-E	文件：299.98 Kbytes Page：6 Pages	RF Transistor Features •HighfT:(fT=3.5GHztyp) •Largecurrent:(IC=300mA) •Largeallowablecollectordissipation(1.3Wmax)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5551AE-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5551	文件：43.33 Kbytes Page：5 Pages	High-FrequencyMedium-OutputAmplifierApplications High-FrequencyMedium-OutputAmplifierApplications Features •HighfT:(fT=3.5GHztyp). •Largecurrent:(IC=300mA). •Largeallowablecollectordissipation(1.3Wmax).	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC5551A	文件：403.15 Kbytes Page：6 Pages	High-FrequencyMedium-OutputAmplifierApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC5551A	文件：299.98 Kbytes Page：6 Pages	RFTransistor Features •HighfT:(fT=3.5GHztyp) •Largecurrent:(IC=300mA) •Largeallowablecollectordissipation(1.3Wmax)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5551A	文件：82.02 Kbytes Page：4 Pages	High-FrequencyMedium-OutputAmplifierApplications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •HighfT:(fT=3.5GHztyp) •Largecurrent:(IC=300mA) •Largeallowablecollectordissipation(1.3Wmax)	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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产品属性

产品编号：
2SC5551AE-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
频率 - 跃迁：
3.5GHz
功率 - 最大值：
1.3W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
300mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

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