2SC5551AE-TD-E 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
2SC5551AE-TD-E
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON(安森美)
库存数量：
12029
产品封装：
标准封装
生产批号：
24+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-7-28 9:38:00

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详细信息
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原厂料号：2SC5551AE-TD-E品牌：ON(安森美)

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2SC5551AE-TD-E是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装标准封装/TO-243AA的2SC5551AE-TD-E晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
2SC5551AE-TD-E
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
6 页
文件大小：
299.98 kb
资料说明：
RF Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
2SC5551AE-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
频率 - 跃迁：
3.5GHz
功率 - 最大值：
1.3W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
300mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
庄小姐
手机：
19076157814
询价：
电话：
0755-83061789
传真：
0755-82550578
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10层

2SC5551AE-TD-E 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

2SC5551AE-TD-E

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