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2SC5200	文件：127.51 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：127.51 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5200	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Transistor 文件：571.19 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200_04	文件：127.51 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：127.51 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5200_15	文件：177.43 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER 文件：177.43 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC5200_18	文件：281.75 Kbytes Page：2 Pages	150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor 文件：281.75 Kbytes 页数：2 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
2SC5200A	文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications 文件：330.15 Kbytes 页数：5 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200A-O-AB-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	丝印：2SC5200；Package：TO-3PB；Silicon NPN Triple Diffused Transistor 文件：571.19 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200A-O-AL-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	丝印：2SC5200；Package：TO-3PL(T)；Silicon NPN Triple Diffused Transistor 文件：571.19 Kbytes 页数：8 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200A-O-AL-N-B	文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications 文件：330.15 Kbytes 页数：5 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200A-O-AL-N-D	文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications 文件：330.15 Kbytes 页数：5 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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产品属性

产品编号：
2SC5200OTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264-3
描述：
TRANS NPN 250V 17A TO264-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC520供应商更新时间2026-3-10 16:46:00

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