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2SC5208	文件：167.44 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications DC-AC Inverter Applications • High-speed switching: tr = 1.0 μs (max) ,tf = 1.5 μs (max) • High breakdown voltage: VCEO = 400 V 文件：167.44 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5208	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5209	文件：146.48 Kbytes Page：4 Pages	FOR RELAY DRIVE POWER SUPPLY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE [Isahaya Electronics Corporation] DESCRIPTION 2SC5209 is a silicon NPN epitaxial type transistor. It designed with high voltage, high collector current and high hFE. Complementary with 2SA1944. FEATURES ● High voltage VCEO = 50V ● Small collector to emitter saturation voltage VCE(sat) 文件：146.48 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC5209	文件：149.07 Kbytes Page：4 Pages	SMALL-SIGNAL TRANSISTOR DESCRIPTION 2SC5209 is a silicon NPN epitaxial type transistor. It designed with high voltage, high collector current and high hFE. Complementary with 2SA1944. FEATURES ● High voltage VCEO = 50V ● Small collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.15V typ (@IC = 500mA, IB = 10mA 文件：149.07 Kbytes 页数：4 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
2SC5209	文件：50.76 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor ■ Features ● High hFE : hFE=600 to 1800 ● High breakdown voltage ● Small package for mounting ● Complementary to 2SA1944 文件：50.76 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC5200	文件：231.01 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：231.01 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5200	文件：281.75 Kbytes Page：2 Pages	150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor 文件：281.75 Kbytes 页数：2 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
2SC5200	文件：921.21 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-3P Plastic Package. 文件：921.21 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC5200	文件：377.77 Kbytes Page：2 Pages	TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors 文件：377.77 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC5200	文件：177.43 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER 文件：177.43 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

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产品属性

产品编号：
2SC5200OTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264-3
描述：
TRANS NPN 250V 17A TO264-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	2SC5200OTU	Fairchild	24+	TO-264	450		询价
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