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2SC5198	文件：147.83 Kbytes Page：2 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SA1941 • Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：147.83 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：155.2 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SA1941 • Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：155.2 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：155.2 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SA1941 • Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：155.2 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：155.83 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SA1941 • Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：155.83 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198_V01	文件：155.83 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SA1941 • Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：155.83 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198B	文件：227.93 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar transistor FEATURES • High breakdown voltage, VCEO =140V (min) • Complementary to 2SA1941B • TO-3P package which can be installed to the heat sink with one screw APPLICATIONS • Suitable for use in 70W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：227.93 Kbytes 页数：3 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI
2SC5198OQ	文件：155.2 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SA1941 • Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：155.2 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198-OQ	文件：155.2 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SA1941 • Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：155.2 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198-O-W-N-B	文件：238.92 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications FEATURES ● High collector voltage˖ VCEO=140V (min) ● Complementary to 2SA1941 ● Recommended for 70-W high-fidelity audio frequency amplifier output ● RoHS product APPLICATIONS ● Power Amplifier Applications 文件：238.92 Kbytes 页数：5 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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晶体管资料

型号：
2SC5178(R)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_SHF
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
5V
最大电流允许值：
0.01A
最大工作频率：
10.5GHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
2SC4993,2SC5078,2SC5097,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-17
vtest：
5
htest：
10500000000
atest：
0.01
wtest：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	2SC5178	SOT-143	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SC5178-FB	TOSHIBA	24+		60000		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SC5178R		23+	SOT143	98650	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SC5178(R)	TOS	23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2SC5179	NEC	24+		5000	只做原装公司现货	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SC5179	NEC	1922+	SOT-323	35689	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SC5179	NEC	23+	SOT-323SC-70	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC5179	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-323	120000	只做原装可免费提供样品	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	2SC5179	NK/南科功率	2025+	SOT-323	986966	国产	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	2SC5179	RENESAS/瑞萨	2511	SOT-323	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价

更多2SC51供应商更新时间2026-3-10 17:36:00

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