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2SC4226	文件：258.519 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4226	文件：60.43 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.2dBTyp.@VCE=3V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highgain. \|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC4226	文件：287.3 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURE •The2SC4226isaLowsupplyvoltagetransistor designedforVHF,UHFlownoiseamplifier •Suitableforahighdensitysurfacemountassembly sincethetransistorhasbeenapplied smallminimoldpackage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC4226	文件：149.56 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistorNPNEpitaxialSiliconRFTransistorforHigh-FrequencyLow-NoiseAmplification3-pinsuperMinimold NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforHigh-FrequencyLow-NoiseAmplification3-pinsuperMinimold DESCRIPTION TheNE85630/2SC4226isalowsupplyvoltagetransistordesignedforVHF,UHFlownoiseamplifier.Itissuitableforahighdensitysurfacemountassemblysincethetransistorhasbe	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC4226	文件：198.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoise. ●Highgain. ●Powerdissipation.(PC=150mW) APPLICATIONS ●Highfrequencylownoiseamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC4226	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226	文件：685.71 Kbytes Page：5 Pages	2SC4226isanultra-highfrequencylow-noisetransistor,usingplanarNPNsiliconoutside	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2SC4226	文件：1.04399 Mbytes Page：9 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollectorCurren-IC=0.1A •LowCollectorPower—Pc=0.1W WithSOT-323Package •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforbroadbandlownoiseamplifier; widebandlownoiseamplifie	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC4226	文件：208.81 Kbytes Page：14 Pages	SiliconTransistor NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC4226	文件：212.22 Kbytes Page：14 Pages	SiliconTransistor NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC4226	文件：56 Kbytes Page：8 Pages	HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORSUPERMINIMOLD DESCRIPTION The2SC4226isalowsupplyvoltagetransistordesignedforVHF,UHFlownoiseamplifier. Itissuitableforahighdensitysurfacemountassemblysincethetransistorhasbeenappliedsmallminimoldpackage. FEATURES •LowNoise NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC4226A	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226B	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226C	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226D	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226E	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226W	文件：178.11 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES Lownoise. Highgain. Powerdissipation.(PC=150mW) APPLICATIONS Highfrequencylownoiseamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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