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2SC4226B中文资料时科数据手册PDF规格书

2SC4226B
厂商型号

2SC4226B

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR

丝印标识

R24

封装外壳

SOT-323

文件大小

591.82 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

SKTECHNOLGY SHIKE Electronics

中文名称

时科 广东时科微实业有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-8-9 17:09:00

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2SC4226B规格书详情

NPN SILICON RF TRANSISTOR

External bipolar process, with high power gain Low noise characteristics. The adoption of submit-niature SOT- 323 package, Especially suitable for high density surface patch installation, mainly for the VHF, UHF low noise amplifier.

Feature

High gain:︱S21e︱2 TYP. Value is 11dB @ VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz

Low noise: NF TYP. Value is 1.4dB @ VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz

fT (TYP.) : TYP. Value is 4.5GHz @ VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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