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2SC4226E	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226	文件：56 Kbytes Page：8 Pages	HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORSUPERMINIMOLD DESCRIPTION The2SC4226isalowsupplyvoltagetransistordesignedforVHF,UHFlownoiseamplifier. Itissuitableforahighdensitysurfacemountassemblysincethetransistorhasbeenappliedsmallminimoldpackage. FEATURES •LowNoise NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC4226	文件：685.71 Kbytes Page：5 Pages	2SC4226isanultra-highfrequencylow-noisetransistor,usingplanarNPNsiliconoutside	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2SC4226	文件：1.04399 Mbytes Page：9 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollectorCurren-IC=0.1A •LowCollectorPower—Pc=0.1W WithSOT-323Package •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforbroadbandlownoiseamplifier; widebandlownoiseamplifie	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC4226	文件：208.81 Kbytes Page：14 Pages	SiliconTransistor NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC4226	文件：212.22 Kbytes Page：14 Pages	SiliconTransistor NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC4226	文件：258.519 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC4226	文件：60.43 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.2dBTyp.@VCE=3V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highgain. \|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC4226	文件：287.3 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURE •The2SC4226isaLowsupplyvoltagetransistor designedforVHF,UHFlownoiseamplifier •Suitableforahighdensitysurfacemountassembly sincethetransistorhasbeenapplied smallminimoldpackage	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC4226	文件：149.56 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistorNPNEpitaxialSiliconRFTransistorforHigh-FrequencyLow-NoiseAmplification3-pinsuperMinimold NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforHigh-FrequencyLow-NoiseAmplification3-pinsuperMinimold DESCRIPTION TheNE85630/2SC4226isalowsupplyvoltagetransistordesignedforVHF,UHFlownoiseamplifier.Itissuitableforahighdensitysurfacemountassemblysincethetransistorhasbe	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC4226	文件：198.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoise. ●Highgain. ●Powerdissipation.(PC=150mW) APPLICATIONS ●Highfrequencylownoiseamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC4226	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226A	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226B	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226C	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226D	文件：591.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC4226W	文件：178.11 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES Lownoise. Highgain. Powerdissipation.(PC=150mW) APPLICATIONS Highfrequencylownoiseamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华博特电子有限公司	2SC4226G-R23-AL3-R	UTC	23/22+	SOT-323	6000	20年老代理.原厂技术支持	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	2SC4226K-S		23+	N/A	85400	正品授权货源可靠	询价
深圳兆威电子有限公司	2SC4226K-S	蓝箭	22+	SOT-23	17261	原装正品现货,可开13点税	询价
深圳市惊羽科技有限公司	2SC4226K-S	蓝箭	24+25+/26+27+	SOT-23.贴片	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	2SC4226N	N/A	21+	SOT-23	40	原装现货假一赔十	询价
深圳市环球伟业电子有限公司	2SC4226N	N/A	21+	SOT-23	40	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市智创诚芯电子科技有限公司	2SC4226N	N/A	22+	SOT-23	25000	原装现货,价格优惠,假一罚十	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SC4226N	N/A	09+	SOT-23	40	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市维尔达电子有限公司	2SC4226N	QUALCOMM	2022+	QFN	6000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	2SC4226N	N/A			589220	16余年资质绝对原盒原盘更多数量	询价

更多2SC4226E供应商更新时间2024-5-5 11:01:00

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