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2SC3266	文件：146.44 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=2A) •Complementaryto2SA1296	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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NPNEPITAXIALTYPE(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=2A) •Complementaryto2SA1296

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forpoweramplifierandpowerswitching applications. Thetransistorissubdividedintothreegroups,Y, GandL,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司

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更多2SC3266GR供应商更新时间2024-6-16 16:18:00

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