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2SC3265	文件：135.45 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER,POWERSWITCHINGAPPLICATIONS) LowFrequencyPowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications HighDCcurrentgain:hFE(1)=100~320 Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max)(IC=500mA,IB=20mA) Complementaryto2SA1298	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3265	文件：36.73 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNEpitaxial Features ●HighDCcurrentgain:hFE(1)=100320. ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max)(IC=500mA,IB=20mA).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3265	文件：86.8 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyPowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3265	文件：184.22 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyPowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications LowFrequencyPowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications HighDCcurrentgain:hFE(1)=100~320 Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max)(IC=500mA,IB=20mA) Complementaryto2SA1298	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC3265	文件：98.08 Kbytes Page：1 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC3265	文件：582.76 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
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2SC3265	文件：619.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCcurrentgain ComplementarytoKTA1298	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
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2SC3265-O	文件：395.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
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2SC3265-O	文件：331.54 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features ·LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ·Powerswitchingapplication ·Complementaryto2SA1298 ·Lowfrequencypoweramplifierapplication ·EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ·MoisureSensitivityL	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC3265Y	文件：184.22 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyPowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications LowFrequencyPowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications HighDCcurrentgain:hFE(1)=100~320 Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max)(IC=500mA,IB=20mA) Complementaryto2SA1298	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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