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2SC2878	文件：505.54 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNEpitaxialTypeForMutingandSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2878	文件：172.42 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATIONS) ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2878	文件：221.91 Kbytes Page：4 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SC2878	文件：221.91 Kbytes Page：4 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2878	文件：245.77 Kbytes Page：4 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2878	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISIONN1PSChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2878	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2878	文件：6.49885 Mbytes Page：126 Pages	COLOURTELEVISIONC9PJChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2878A	文件：978.79 Kbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighEmitter-BaseVoltage ●LowOnResistance	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC2878A	文件：288.5 Kbytes Page：2 Pages	0.3A,50VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •LowOnResistance •HighEmitter-BaseVoltage •HighReversehFE>30(typ.)VCE=-2V,IC=-4mA.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC2878A	文件：245.77 Kbytes Page：4 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2878-A	文件：221.91 Kbytes Page：4 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2878B	文件：245.77 Kbytes Page：4 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC2878-B	文件：221.91 Kbytes Page：4 Pages	ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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