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2SC2786	文件：286.98 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION The2SC2786isdesignedforuseinFMRFamplifierandlocaloscillatorofFMtuner. FEATURES ●Highgainbandwidthproduct(fT=600MHzTYP.) ●Smalloutputcapacitance(Cob=1.0pFTYP.) ●Lownoisefigure(NF=3.0dBTYP.@100MHz)	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC2786	文件：71.91 Kbytes Page：1 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE ComplementtoS9015LT1 CollectorCurrent:Ic=100mA Collector-EmitterVoltage:Vce=45V HighTotalPowerDissipation:Pc=225mW *HighHfeAndGoodLinearity	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
ST2SC2786	文件：322.69 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forFMRFamplifierandlocaloscillatorofFMtuner. ThetransistorissubdividedintothreegroupsM,L, andK,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations. Features 1)	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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2SC2786

文件：286.98 Kbytes

Page：4 Pages

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SC2786isdesignedforuseinFMRFamplifierandlocaloscillatorofFMtuner. FEATURES ●Highgainbandwidthproduct(fT=600MHzTYP.) ●Smalloutputcapacitance(Cob=1.0pFTYP.) ●Lownoisefigure(NF=3.0dBTYP.@100MHz)

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

2SC2786

文件：71.91 Kbytes

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NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE *ComplementtoS9015LT1 *CollectorCurrent:Ic=100mA *Collector-EmitterVoltage:Vce=45V *HighTotalPowerDissipation:Pc=225mW *HighHfeAndGoodLinearity

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NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forFMRFamplifierandlocaloscillatorofFMtuner. ThetransistorissubdividedintothreegroupsM,L, andK,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations. Features 1)

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深圳廊盛科技有限公司	2SC2786其他被动元件	NEC	2022	TO-92S	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
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更多2SC2786-T/JM供应商更新时间2024-5-23 14:52:00

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