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2SC1623-SOT23	文件：2.02802 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors Features ● High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA ● High Voltage: VCE O = 50 V 文件：2.02802 Mbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SC1623T	文件：1.54464 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features High hFE and VCEO, complementary pair with 2SA812T. Applications Audio frequency general amplifier application. 文件：1.54464 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC1623W	文件：1.11829 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-323 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-323 Plastic Package. Features High hFE and VCEO, complementary pair with 2SA812W. Applications Audio frequency general amplifier application. 文件：1.11829 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC1623W	文件：193.08 Kbytes Page：4 Pages	丝印：L4；Package：SOT-323；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High DC current gain: hFE=200TYP. ● High voltage: VCEO=50V. ● Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ● Audio frequency general purpose amplifier. 文件：193.08 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC1624	文件：90.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN PLANAR TYPE MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. Features High Breakdown Voltage : VCEO = 120V (2SC1624) Complementary to 2SA814 and 2SA815 文件：90.2 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1624	文件：66.71 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA814/815 ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·Medium power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：66.71 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC1624	文件：95.4 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA814/815 ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·Medium power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：95.4 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC1625	文件：95.4 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA814/815 ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·Medium power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：95.4 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC1625	文件：90.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN PLANAR TYPE MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. Features High Breakdown Voltage : VCEO = 120V (2SC1624) Complementary to 2SA814 and 2SA815 文件：90.2 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1625	文件：66.71 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA814/815 ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·Medium power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：66.71 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SC1623
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC846,BCV71,BCV72,BCW71,BCW72,BCX70,2SC3323,3DG120C,9014LT1,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
250000000
atest：
0.1
wtest：
0.2

技术参数

VCEO (V)：
50
IC @25 °C (A)：
0.1
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
90-600
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.25
Cob (Typical) (pF)：
3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华斯顿科技有限公司	2SC1623	NEC	25+23+	SOT-23	134000	全新原装正品,优势公司现货绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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更多2SC162供应商更新时间2026-3-10 16:50:00

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