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2SC1623W	文件：193.08 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP. ●Highvoltage:VCEO=50V. ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC1623W	文件：1.11829 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-323 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features HighhFEandVCEO,complementarypairwith2SA812W. Applications Audiofrequencygeneralamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC1623W	文件：213.05 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC1623W_14	文件：213.05 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC1623	文件：60.97 Kbytes Page：6 Pages	AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP. (VCE=6.0V,IC=1.0mA) •HighVoltage:VCEO=50V	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC1623	文件：194.51 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Lead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SC1623	文件：62.62 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistors Features •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SC1623	文件：203.59 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=50V APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC1623	文件：487.9 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司	SHENZHENSLS
2SC1623	文件：1.545 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features HighhFEandVCEO,complementarypairwith2SA812. Applications Audiofrequencygeneralamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC1623	文件：172.58 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC1623	文件：380.83 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
2SC1623	文件：120.29 Kbytes Page：2 Pages	AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERNPNSILICONTRANSISTORMINIMOLD DESCRIPTION TheUTC2SC1623isaNPNsilicontransistorusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighDCcurrentgainandhighbreakdownvoltage.TheUTC2SC1623isusuallyusedinaudiofrequencygeneralpurposeamplifier. FEATURES HighbreakdownVoltage HighDCCurrentGai	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC1623	文件：1.0753 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA). ●HighVoltage:VCEO=50V. APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor. ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC1623	文件：842.8 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA ●Highvoltage:VCEO=50V	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC1623	文件：2.39104 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) Features ●HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA ●Highvoltage:VCEO=50V	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
2SC1623	文件：190.94 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA Highvoltage:VCEO=50V	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SC1623	文件：107.26 Kbytes Page：2 Pages	HighDCcurrentgainhFE200(Typ)VCE6V,IC1mA FEATURES HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA Highvoltage:VCEO=50V	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
2SC1623	文件：136.53 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC1623	文件：67.21 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL

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详细参数

型号：
2SC1623W
制造商：
BILIN
制造商全称：
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
功能描述：
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC1623W供应商更新时间2024-5-15 10:30:00

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