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2SC1621	文件：229.84 Kbytes Page：4 Pages	HIGH SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD? HIGH SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURE ● High Speed : tstg = 20 ns MAX. 文件：229.84 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC1621	文件：53.16 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High speed : tstg=20ns MAX. 文件：53.16 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC1622	文件：234.14 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ● High DC Current Gain: hFE = 600 TYP. (VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA) 文件：234.14 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC1622A	文件：234.14 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ● High DC Current Gain: hFE = 600 TYP. (VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA) 文件：234.14 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC1622A	文件：36.96 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC current gain. 文件：36.96 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC1623	文件：842.8 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High DC current gain :hFE=200(Typ) VCE=6V,IC=1mA ● High voltage:VCEO=50V 文件：842.8 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC1623	文件：474.02 Kbytes Page：4 Pages	丝印：L6；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High DC current gain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ● High Voltage:VCEO=50V APPLICATIONS ● NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor ● Audio frequency general purpose amplifier. 文件：474.02 Kbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
2SC1623	文件：194.51 Kbytes Page：4 Pages	丝印：L5；Package：SOT-23；NPN General Purpose Transistors Lead(Pb)-Free 文件：194.51 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
2SC1623	文件：203.59 Kbytes Page：4 Pages	丝印：L4；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High DC current gain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ● High Voltage:VCEO=50V APPLICATIONS ● NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor ● Audio frequency general purpose amplifier. 文件：203.59 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC1623	文件：239.79 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for audio frequency amplifier applications. 文件：239.79 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM

晶体管资料

型号：
2SC1623
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC846,BCV71,BCV72,BCW71,BCW72,BCX70,2SC3323,3DG120C,9014LT1,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
250000000
atest：
0.1
wtest：
0.2

技术参数

VCEO (V)：
50
IC @25 °C (A)：
0.1
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
90-600
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.25
Cob (Typical) (pF)：
3

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更多2SC162供应商更新时间2026-3-10 10:56:00

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