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2SC1622

AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ● High DC Current Gain: hFE = 600 TYP. (VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA)

文件:234.14 Kbytes 页数:4 Pages

NEC

瑞萨

2SC1622A

AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ● High DC Current Gain: hFE = 600 TYP. (VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA)

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NEC

瑞萨

2SC1622A

NPN Silicon Epitaxial Transistor

NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC current gain.

文件:36.96 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

2SC1622A

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

文件:363.36 Kbytes 页数:6 Pages

RENESAS

瑞萨

2SC1622A

Small Signal Bipolar Transistors

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Renesas

瑞萨

2SC1622A-L

Low-frequency high-gain amplification silicon Tr.

NEC

瑞萨

晶体管资料

  • 型号:

    2SC1622

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    110MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC846,BC847,BCW71,BCW72,BCW81,BCX70,3DG120B,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    40

  • htest:

    110000000

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0

技术参数

  • VCEO (V):

    120

  • IC @25 °C (A):

    0.05

  • VCE (sat) (V):

    0.3

  • hFE:

    135-900

  • Pc (W):

    0.2

  • fT (Typical) (GHz):

    0.11

  • Cob (Typical) (pF):

    1.6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
20+
SOT-23
120000
原装正品 可含税交易
询价
24+
30000
询价
ROHM
25+23+
Sot-23
35057
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
TOSHIBA/东芝
21+
SOT-23
3000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
询价
TOSHIBA/东芝
23+
SOT-23
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
TOSHIBA
26+
TSSOP30
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
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NEC
2023+
SOT-23
50000
原装现货
询价
TOSHIBA/东芝
24+
SOT-23
60000
全新原装现货
询价
NK/南科功率
2025+
SOT-23
986966
国产
询价
RENESAS/瑞萨
2511
SOT-23
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
询价
更多2SC1622供应商 更新时间2026-1-18 10:01:00