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2SB624	文件：256.85 Kbytes Page：4 Pages	AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIERPNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD DESCRIPTION The2SB624isdesignedforuseinsmalltypeequipmentsespeciallyrecommendedforhybridintegratedcircuitandotherapplications.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SB624	文件：214.93 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialPlanarTransistors	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SB624	文件：111.16 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.7A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SB624	文件：295.75 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES HighDCcurrentgain.hFE:200TYP (VCE=-1.0V,IC=-100mA) Complimentarytothe2SD596. APPLICATIONS Audiofrequencyamplifier. Switchingappilication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SB624	文件：37.59 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor ■Features ●HighDCcurrentgain.hFE:200TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ●Complimentaryto2SD596.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB624	文件：427.83 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES HighDCCurrentGain.hFE：200(Typ.)(VCE=-1V,IC=-100mA) Complimentaryto2SD596	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SB624	文件：446.02 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES HighDCcurrentgain.hFE:200TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) Complimentaryto2SD596.	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SB624	文件：149.57 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.7A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SB624	文件：499.72 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Applications: Usedinpoweramplifiercircuit,complementaryto2SD596.	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司	SHENZHENSLS
2SB624	文件：911.8 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features HighhFE,complementarypairwith2SD596. Applications Audiofrequencyamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB624	文件：1.67315 Mbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCcurrentgain.hFE:200TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ●Complimentaryto2SD596.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SB624	文件：1.16292 Mbytes Page：2 Pages	Audiofrequencyamplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SB624	文件：2.35306 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCcurrentgain.hFE:200TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ●Complimentaryto2SD596.	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB624	文件：261.579 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SB624	文件：635.46 Kbytes Page：1 Pages	MicropackageHighdccurrentgain FEATURES ●Micropackage. ●Highdccurrentgain.hFE:200TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB624	文件：370.84 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors ■Features ●HighDCcurrentgain.hFE:200TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ●Complimentaryto2SD596.	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SB624A	文件：381.36 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTOR AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIER PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR MINIMOLD FEATURES •ComplementarytoNEC2SD596ANPNTransistor. •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=−1.0V,IC=−100mA) ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25°C) CollectortoBaseVoltageVCBO−30V CollectortoEm	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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