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2SB1556	文件：139.39 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −140 V (min) • Complementary to 2SD2385 文件：139.39 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1556	文件：113.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PL package • Complement to type 2SD2385 • High DC current gain • Low collector saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For power amplifier applications 文件：113.1 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1557	文件：145.15 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −140 V (min) • Complementary to 2SD2386 文件：145.15 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1558	文件：145.47 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = −140 V (min) • Complementary to 2SD2387 文件：145.47 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1558	文件：135.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PI package • Complement to type 2SD2387 APPLICATIONS • For power amplifier applications 文件：135.55 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1558	文件：125.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PI package • Complement to type 2SD2387 APPLICATIONS • For power amplifier applications 文件：125.57 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1558	文件：161.14 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PI package • Complement to type 2SD2387 APPLICATIONS • For power amplifier applications 文件：161.14 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1558	文件：137.75 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 5000(Min)@lc= -7A • Low-Collector Saturation Voltage- : VCE(satr -2.5V(Max.)@lc= -7A • Complement to Type 2SD2387 APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：137.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1559	文件：173.56 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type 2SD2389 APPLICATIONS ·Audio ,regulator and general purpose 文件：173.56 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1559	文件：193.99 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type 2SD2389 APPLICATIONS ·Audio ,regulator and general purpose 文件：193.99 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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晶体管资料

型号：
2SB1578
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1571,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
60
htest：
999900
atest：
5
wtest：
0

技术参数

NPN/PNP：
PNP
VCEO (V)：
-60
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
-5
VCE(sat) (V) max.：
-0.3
hFE min.：
100
hFE max.：
400
Pc (W)：
2
Package Type：
MP-2
Production Status：
EOL

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