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2SB1424T100Q	文件：72.21 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(??0V,??A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.2V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S. Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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2SB1424T100Q

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LowVCE(sat)Transistor(??0V,??A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.2V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S. Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SB1424T100R

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LowVCE(sat)Transistor(??0V,??A)

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