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2SB1342	文件：125.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier and power driver applications 文件：125.1 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1343	文件：245.6 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -2A) APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：245.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1343	文件：127.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -2A) APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：127.13 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1343	文件：105 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High DC current gain • Low saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For low frequency power amplifier and power driver applications 文件：105 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1343	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1344	文件：122.47 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·DARLINGTON ·Complement to type 2SD2025 APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier and power driver applications 文件：122.47 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1344	文件：127.16 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO=-100V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VGt= -3V, lc= -2A) • Complement to Type 2SD2025 APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：127.16 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1344	文件：125.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·DARLINGTON ·Complement to type 2SD2025 APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier and power driver applications 文件：125.17 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1344	文件：329.64 Kbytes Page：7 Pages	POWER TRANSISTOR (-100V, -8A) Power Transistor ( -100V, - 8A) Power Transistor (100V, 8A) 文件：329.64 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1344	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220FP；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SB1340
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
12MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1194,2SB1228,2SB1403,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=10000
图片代号：
B-38
vtest：
120
htest：
12000000
atest：
6
wtest：
30

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SB1340		24+	TO-220FA	10000	全新	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SB1340	ROHM	24+	原厂封装	2500	原装现货假一罚十	询价
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更多2SB134供应商更新时间2026-1-17 14:02:00

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