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TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High-Voltage Switching Applications • High breakdown voltage: VCEO= −400 V 文件：156.99 Kbytes 页数：3 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
Silicon PNP Triple Diffused Type Features High voltage: VCE= -400 V 文件：54.04 Kbytes 页数：1 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | ||
Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High-Voltage Switching Applications • High breakdown voltage: VCEO = −400 V 文件：152.91 Kbytes 页数：3 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
DC/DC Converter Applications DC/DC Converter Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. 文件：44.58 Kbytes 页数：4 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | ||
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES • High fT fT = 8.5 GHz TYP. • High gain | S21e | 2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = −8 V, IC = −20 mA • High-speed switching characterstics • Equivalent NPN transistor is the 2SC3583. 文件：58.63 Kbytes 页数：7 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | ||
PNP Epitaxial Silicon Transistor Features ● High fT :fT = 8.5 GHz TYP. ● High gain | S21e |2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = -8 V, IC = -20 mA ● High-speed switching characterstics 文件：36.54 Kbytes 页数：1 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | ||
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES • High fT fT = 8.5 GHz TYP. • High gain | S21e | 2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = −8 V, IC = −20 mA • High-speed switching characterstics • Equivalent NPN transistor is the NE68133 / 2SC3583. 文件：1.45866 Mbytes 页数：12 Pages | CEL | CEL | ||
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES • High fT fT = 5.5 GHz TYP. • | S21e | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = −10 V, IC = −15 mA • High speed switching characteristics • Equivalent NPN transistor is the NE02133 / 2SC2351. • Alternative of the 2SA1424. 文件：1.42336 Mbytes 页数：10 Pages | CEL | CEL |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_高速开关 （SS）_超高频/特高频
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
20V
- 最大电流允许值：
0.05A
- 最大工作频率：
>4GHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
20
- htest：
4000100000
- atest：
0.05
- wtest：
0
详细参数
- 型号：
2SA197
- 制造商：
Renesas Electronics
- 功能描述：
Cut Tape
- 制造商：
Renesas
- 功能描述：
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-23 |
20300 |
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RENESAS/瑞萨 |
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SOT-23 |
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原装正品 可含税交易 |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS/瑞萨 |
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NEC |
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SOT-23 |
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SOT-23 |
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NEC |
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NEC |
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NK/南科功率 |
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RENESAS/瑞萨 |
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