2SA1977分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SA1977 |
| 参数属性 | 2SA1977 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23 |
| 功能描述 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
1.45866 Mbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 11:20:00 |
| 人工找货 | 2SA1977价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SA1977规格书详情
2SA1977属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的2SA1977晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
FEATURES
• High fT
fT = 8.5 GHz TYP.
• High gain
| S21e | 2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = −8 V, IC = −20 mA
• High-speed switching characterstics
• Equivalent NPN transistor is the NE68133 / 2SC3583.
产品属性
更多- 产品编号：
2SA1977-T1B-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
8.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 1GHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 20mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2511 |
SOT-23 |
360000 |
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NEC |
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SOT-23 |
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NEC |
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NEC |
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SOT-23 |
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原装正品 |
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