2SA1971分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SA1971 |
| 参数属性 | 2SA1971 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI |
| 功能描述 | TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
156.99 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-4 22:58:00 |
| 人工找货 | 2SA1971价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2SA1971三极管、2SA1971晶体管、2SA1971晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_开关管 （S）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
400V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
35MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
2SA1812,
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-100
- vtest：
400
- htest：
35000000
- atest：
0.5
- wtest：
0
2SA1971规格书详情
High-Voltage Switching Applications
• High breakdown voltage: VCEO= −400 V
产品属性
- 产品编号：
2SA1971(TE12L,F)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：
35MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
PW-MINI
- 描述：
PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
2016+ |
SOT89 |
2500 |
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TOSHIBA/东芝 |
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