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2SA1971	文件：156.99 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High-Voltage Switching Applications • High breakdown voltage: VCEO= −400 V 文件：156.99 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1971	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1971	文件：54.04 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Type Features High voltage: VCE= -400 V 文件：54.04 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1971	文件：166.45 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：166.45 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1971	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Polarity：PNP\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -0.5 A \nCollector-emitter voltage VCEO -400 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SA1971_09	文件：166.45 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：166.45 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1971(TE12L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PB-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
2SA1971
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
35MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1812,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
400
htest：
35000000
atest：
0.5
wtest：
0

技术参数

Polarity：
PNP
VCEO(Max)(V)：
-400
IC(Max)(A)：
-0.5
hFE(Min)：
140
hFE(Max)：
450
VCE(sat)(Max)(V)：
-1.0
fT(Typ.)(MHz)：
35
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
PW-Mini
Width×Length×Height(mm)：
4.6 x 4.2 x 1.6

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更多2SA1971供应商更新时间2026-4-18 14:00:00

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