2SA1978分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SA1978 |
| 参数属性 | 2SA1978 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 |
| 功能描述 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
1.42336 Mbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-4 21:09:00 |
| 人工找货 | 2SA1978价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2SA1978三极管、2SA1978晶体管、2SA1978晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_高速开关 （SS）_超高频/特高频
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
20V
- 最大电流允许值：
0.05A
- 最大工作频率：
>4GHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
20
- htest：
4000100000
- atest：
0.05
- wtest：
0
2SA1978规格书详情
2SA1978属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的2SA1978晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
FEATURES
• High fT
fT = 5.5 GHz TYP.
• | S21e | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = −10 V, IC = −15 mA
• High speed switching characteristics
• Equivalent NPN transistor is the NE02133 / 2SC2351.
• Alternative of the 2SA1424.
产品属性
更多- 产品编号：
2SA1978-T1B-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
5.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2dB @ 1GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 15mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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