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2SA1978分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SA1978

参数属性

2SA1978 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

功能描述

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

1.42336 Mbytes

页面数量

10

生产厂商

CEL

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数据手册

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更新时间

2025-11-2 13:01:00

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2SA1978规格书详情

2SA1978属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的2SA1978晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

FEATURES

• High fT

fT = 5.5 GHz TYP.

• | S21e | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = −10 V, IC = −15 mA

• High speed switching characteristics

• Equivalent NPN transistor is the NE02133 / 2SC2351.

• Alternative of the 2SA1424.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SA1978-T1B-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    5.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    2dB @ 1GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 15mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

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