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2SA1977分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SA1977

参数属性

2SA1977 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

功能描述

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

58.63 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-5 9:29:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SA1977

  • 别名:

    2SA1977三极管、2SA1977晶体管、2SA1977晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_高速开关 (SS)_超高频/特高频

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    20V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    >6GHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    20

  • htest:

    6000100000

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0

2SA1977规格书详情

FEATURES

• High fT

fT = 8.5 GHz TYP.

• High gain

| S21e | 2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = −8 V, IC = −20 mA

• High-speed switching characterstics

• Equivalent NPN transistor is the 2SC3583.

产品属性

  • 产品编号:

    2SA1977-T1B-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    8.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 20mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
SOT-23
32700
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