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2N7002PV	文件：272.01 Kbytes Page：14 Pages	丝印：ZF；Package：SOT666；60 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology 3. Ap 文件：272.01 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PW	文件：1.83344 Mbytes Page：5 Pages	丝印：72Kc；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low on-resistance ESD protected gate up to 2kV HBM High-speed switching Drive circuits can be simple Parallel use is easy 文件：1.83344 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
2N7002PW	文件：282.79 Kbytes Page：15 Pages	丝印：X8；Package：SC-70；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • 文件：282.79 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PW	文件：173.23 Kbytes Page：16 Pages	丝印：X8-；Package：SOT-323；60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits ● Logic-level compatible ● Very fast switching ● Trench MOSFET technology ● AEC-Q101 文件：173.23 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
2N7002PW	文件：1.01359 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.01359 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2N7002P	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	Nexperia 安世	Nexperia
2N7002PV	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Trench MOSFET technology\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
2N7002PW	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs (Field Effect Transistors)	Diotec 德欧泰克	Diotec

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技术参数

Package name：
SOT666
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1600
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
2000
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.35
QGD [typ] (nC)：
0.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.6
Ptot [max] (W)：
0.5
VGSth [typ] (V)：
1.75
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
29.999998
Coss [typ] (pF)：
7
Release date：
2011-01-24

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	2N7002P	恩XP	24+	SOT23	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
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