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2N7002BK	文件：7.23256 Mbytes Page：5 Pages	丝印：72KC；Package：SOT-23；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage General Features ● VDS 60V ● ID 300mA ● RDS(ON)( at VGS=10V) 文件：7.23256 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
2N7002KW	文件：1.83479 Mbytes Page：5 Pages	丝印：72Kc；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low on-resistance ESD protected gate up to 2kV HBM High-speed switching Drive circuits can be simple Parallel use is easy 文件：1.83479 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
2N7002PW	文件：1.83344 Mbytes Page：5 Pages	丝印：72Kc；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low on-resistance ESD protected gate up to 2kV HBM High-speed switching Drive circuits can be simple Parallel use is easy 文件：1.83344 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
2N7002Q	文件：7.23255 Mbytes Page：5 Pages	丝印：72KC；Package：SOT-23；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage General Features ● VDS 60V ● ID 300mA ● RDS(ON)( at VGS=10V) 文件：7.23255 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
2N7002W	文件：1.83145 Mbytes Page：5 Pages	丝印：72Kc；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low on-resistance ESD protected gate up to 2kV HBM High-speed switching Drive circuits can be simple Parallel use is easy 文件：1.83145 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
2N7002WT1G	文件：1.83804 Mbytes Page：5 Pages	丝印：72Kc；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low on-resistance ESD protected gate up to 2kV HBM High-speed switching Drive circuits can be simple Parallel use is easy 文件：1.83804 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
S2N7002ET7G	文件：7.23171 Mbytes Page：5 Pages	丝印：72KC；Package：SOT-23；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage General Features ● VDS 60V ● ID 300mA ● RDS(ON)( at VGS=10V) 文件：7.23171 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
TPM7002EC3	文件：1.83934 Mbytes Page：5 Pages	丝印：72Kc；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low on-resistance ESD protected gate up to 2kV HBM High-speed switching Drive circuits can be simple Parallel use is easy 文件：1.83934 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

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