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2N7002BK	文件：7.23256 Mbytes Page：5 Pages	丝印：72KC；Package：SOT-23；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description ●TrenchPowerMVMOSFETtechnology ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●LowinputCapacitance ●FastSwitchingSpeed ●LowInput/OutputLeakage GeneralFeatures ●VDS60V ●ID300mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002BK	文件：737.7 Kbytes Page：16 Pages	丝印：LN；Package：TO-236AB；60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusing TrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ESDpr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BK	文件：1.01958 Mbytes Page：3 Pages	丝印：7200；Package：SOT23；60V N-Channel Mosfet Application Directlogic-levelinterface:TTL/CMOS Drivers:relays,solenoids,lamps,hammersdisplay, memories,transistors,etc. Batteryoperatedsystems Solid-staterelays	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N7002BK	文件：286.97 Kbytes Page：15 Pages	丝印：LN；Package：SOT23；60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BK	文件：176.53 Kbytes Page：16 Pages	丝印：LN-；Package：SOT-23；60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ■Logic-levelcompatible ■Veryfastswitching ■TrenchMOSFETtechnology ■ESDprotecti	ETC	ETC
2N7002BK	文件：1.742 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N7002BK	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V, Single N Channel MOSFET, RDS(ON) 1600mΩ, SOT-23; •Very fast switching\n •Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant\n •Typical ESD Protection HBM Class 2;	ETC	ETC
2N7002BK	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS场效应;	JSMICROJSMirco-SEMI 杰盛微深圳市杰盛微半导体有限公司	JSMICRO
2N7002BK	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Channel Mosfet;	TechpublicTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	Techpublic
2N7002BK_V01	文件：286.97 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1600
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.35
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.5
Ptot [max] (W)：
0.37
VGSth [typ] (V)：
1.6
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
33
Coss [typ] (pF)：
7
Release date：
2011-01-24

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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