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2N7002BKM中文资料安世数据手册PDF规格书

2N7002BKM
厂商型号

2N7002BKM

功能描述

60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET

丝印标识

Z8

封装外壳

SC-101

文件大小

906 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 20:00:00

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2N7002BKM规格书详情

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

SOT883 (SC-101) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ESD protection up to 2 kV

AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

产品属性

  • 型号:

    2N7002BKM

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 60V 450mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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