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2N7002LL	文件：166.31 Kbytes Page：3 Pages	60V,115mAN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002M	文件：256.12 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET(N-Channel)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N7002MTF	文件：162.29 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedSmallSignalMOSFET BVDSS=60V RDS(on)=5.0Ω ID=200mA FEATURES ●LowerRDS(on) ●ImprovedInductiveRuggedness ●FastSwitchingTimes ●LowerInputCapacitance ●ExtendedSafeOperatingArea ●ImprovedHighTemperatureReliability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002MTF	文件：116.48 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSmallSignalMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002NT	文件：435.27 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002NXAK	文件：279.69 Kbytes Page：14 Pages	60V,singleN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESDprotected 3.Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002NXBK	文件：288.98 Kbytes Page：14 Pages	60V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •Elect	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002P	文件：283.93 Kbytes Page：15 Pages	60V,360mAN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •AEC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PS	文件：294.36 Kbytes Page：15 Pages	60V,320mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnolog	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PT	文件：184.33 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor-0.25Amp60Volt □Feature -Smallsurfacemountingtype -HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) -Suitableforhighpackingdensity -Ruggedandreliable -Highsaturationcurrentcapability -Voltagecontrolledsmallsignalswitch □Application -Servomotorcontrol -PowerMOSFETgatedrivers -Othe	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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