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2N7002PT	文件：191.36 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT0.250Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *Servo	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2N7002PT	文件：430.71 Kbytes Page：17 Pages	60V,310mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology AEC-Q	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PV	文件：272.01 Kbytes Page：14 Pages	60V,350mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallSOT666 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology 3.Ap	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PW	文件：1.01359 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N7002PW	文件：282.79 Kbytes Page：15 Pages	60V,310mAN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PW	文件：1.83344 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance ESDprotectedgateupto2kVHBM High-speedswitching Drivecircuitscanbesimple Paralleluseiseasy	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N7002Q	文件：7.23255 Mbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Description ●TrenchPowerMVMOSFETtechnology ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●LowinputCapacitance ●FastSwitchingSpeed ●LowInput/OutputLeakage GeneralFeatures ●VDS60V ●ID300mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002Q	文件：386.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features LowOn-Resistance LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed SmallSurfaceMountPackage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Notes3) The2N7002Qissuitableforautomotiveapplicationsrequir	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002S	文件：121.57 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTDualN-ChannelEnhancementMOSFET/VOLTAGE60VoltsCURRENT0.250Ampere [CHENMKO] FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-88/SOT-363) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION Servomotorcontrol. Po	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
2N7002SPT	文件：145.68 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementMOSFET	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

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