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2N7002KX	文件：575.09 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Applications  Motor Control  Power Management Functions  Backlighting Features 文件：575.09 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002KX-13	文件：575.09 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Applications  Motor Control  Power Management Functions  Backlighting Features 文件：575.09 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002KX-7	文件：575.09 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Applications  Motor Control  Power Management Functions  Backlighting Features 文件：575.09 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002KX	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道小信号 MOSFET 60V 380mA 1.6 Ω MOSFET, Small Signal, 60 V, 380mA, Single N-Channel, SOT-23 • Low RDS(on)\n• Improved system efficiency\n• Surface Mount Package\n• Space saving\n• This is a Pb-Free Device\n• RoHS compliant\n• ESD Protected\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N7002KX-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 60V SOT23-3	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.3
ID Max (A)：
0.38
PD Max (W)：
0.42
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
2500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1600
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
0.7
Ciss Typ (pF)：
24.5
Package Type：
SOT-23-3

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更多2N7002KX供应商更新时间2025-10-9 8:24:00

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